怎样防止仪器仪表的损坏?

　　怎样防止仪器仪表的损坏?下一步，我们将一起维护和使用这个仪器。

　　一、怎样防止仪器仪表的损坏?

　　第一、确保接地良好;

　　a.一定要使用与仪器配套的三相交流线路。

　　b.良好的接地可以防止静电积聚，避免对设备造成损害或对操作者造成伤害。

　　c.不要使用不加保护的地线的延长电缆、电源线或自耦变压器，以免地线保护失效。

　　d.使用之前一定要检查交流电源的质量和极性。仪器使用的电压一般为100,120,220V±10%或240V+5%/–10%。一般情况下，在接地电阻值<1Ω，零线和地线之间的电压<1V，必要时，可配置不间断电源[UPS]。

　　e.如需详细资料，请参阅《仪器接地注意事项》应用指南。

　　第二、阅读警示标识及仪器技术指标。

　　1.不能使用超过技术指标说明书中规定的值，或仪器上黄色警告标签所示的值。

　　2.参考技术指标说明书，了解达到所述技术指标应满足的条件。请注意关于稳定时间，仪器设置和校准/计量要求的说明。

　　第三、避免将过大功率输入仪器。

　　(1)要事先了解仪器要测量的信号电平，以免损坏仪器前端元件。前部超载会导致前部零件损坏。一般射频输入信号水平的最大值为<0.1到1W或<0.2到2DCV。

　　(2)在打开或关闭连接的设备或测试中的设备之前，将其信号电平降低到最低的安全水平，以避免突然的电压升高或降低对仪器的输入输出产生影响。

　　(3)如果需要，适当地使用隔直器，限制器或外部衰减器。其他信息。

　　在低于45MHz的直流信号被11742A直流电容阻隔时，允许45MHz到26.5GHz的信号通过。可抑制低频信号从而保护贵重的测量仪器，特别适合与高频示波器、偏置微波电路配合使用。

　　第四、射频输入接头的保护装置。

　　(1)注意不能弯曲、撞击或折断任何被测装置，如滤波器、衰减器或大电缆等，这些装置与仪器的输入端相连。这减少了输入连接器和支撑硬件所受的张力。

　　(2)确保连接到输入端的外部设备得到适当的支持(而不是随意地悬挂)。

　　(3)在连接RF连接器时，必须使用扭力扳手和量规工具。

　　(4)不能混接50Ω和75Ω的连接线。

　　第五、良好的保养RF/光纤电缆和连接器。

　　避免电缆反复弯折。弯曲的角度太大会立即损坏电缆;

　　减少连接和断开的次数，以减少磨损;

　　在使用连接器之前先检查一下，看看是否有污物、划痕和其它损坏或磨损的迹象。连接好的连接器时，坏的连接器会立即造成好的连接器损坏。

　　第六、遵守防静电的规定。

　　1，静电放电(ESD)可能破坏或损坏电子元件。在防静电的工作区域应尽量进行试验。容易产生静电的材料应远离所有元件至少一米。同轴线与仪器连接前，其内外导体应立即短路接地，以释放静电。

　　2，在运输或移动设备前，在所有RF和光纤连接器上安装ESD保护罩。

　　第七、注意保持空气流通和湿度。

　　定期检查和清洗排气孔中的仪器。通气不良会引起仪器工作温度升高，从而引起仪器故障。工作温度宜在23℃至5℃之间，环境温度不宜超过35℃;

　　将仪器装在柜体内，必须保证其通气顺畅。每100W的机箱耗电量，环境温度应比产品最高工作温度低4℃。如柜内总功率大于800W，应采取强制通风措施。

　　第八，搬运的注意事项。

　　1.抓住仪表的手柄，以便操作。

　　2.不要用手握住仪表的前板。若仪表滑脱，键盘，旋钮或输入接头可能损坏。

　　3.较重的仪器应使用推车或由两人一起搬运。

　　第八注意用交通工具包装。

　　采用不合格的包装材料会造成仪器损坏。请勿用任何形状的发泡材料包装仪器。他们无法有效地减轻仪器所受的冲击，而且很容易产生静电而损坏仪器。尽可能将仪器原厂包装，以便运输中再次使用。

　　二、产品简介：Keithley吉时利2450数字源表

　　2450是适合各行各业用户使用的源测量设备(SMU)：这一多用途仪器特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术和其他小尺寸低功率器件的特性分析。加上吉时利源计量装置(SMU)的精确度和精确度，让使用者无论现在还是将来都能触摸、测试和发明，成为你实验室里爱不释手的仪器。

　　吉时利2450型数字源表的典型应用。

　　Github源表非常适合于当前各种现代电子设备的电流/电压特性分析和功能测试，包括：

　　1.测试纳米材料和器件的性能，如石墨烯，碳纳米管，纳米线，低功率纳米结构等;

　　2.测试半导体结构，如晶片，薄膜。

　　3.用电子油墨、印刷电子技术等有机材料和器件的测试。

　　4.LED/AMOLED、光伏/太阳电池、电池测试等能源效率和照明测试;

　　5.分离装置与被动元件一起进行测试，例如双引线：电阻、二极管、齐纳、二极管、LED、磁盘驱动器磁头、光驱、感应器、三引线：小信号双极节晶体管、场效应晶体管等。

　　6.电阻率，霍尔效应等材料特性分析。